Silikon gofret tuzilishi

Silikon gofret tuzilishi

Yarimoʻtkazgichli{0}}silikon gofret tuzilmalarimiz butun dunyo boʻylab yuqori nazorat ostida ishlab chiqarishni osonlashtirish uchun atom darajasida arxitektoriya qilingan.50 mm dan 300 mm gacha (2-12 dyuym)diametrli spektr. Kengaytirilgandan foydalangan holdaCzochralski (CZ) va Float Zone (FZ)kristallni tortib olish metodologiyasi yordamida biz epitaksial o'sish va yuqori-dozali ion implantatsiyasi uchun yuqori-yaxlitlik xossasi bo'lib xizmat qiladigan toza, nuqsonsiz{0}}panjarani ta'minlaymiz.

Asosiy farqlangan afzalliklar:

Panjara-Bir xillik darajasi:Gibrid{0}}navbatdagi materiallardan farqli o‘laroq, bizning gofretlarimiz ultra-bir xil ichki xususiyatlarga ega{2}}ayniqsa nazorat qilinadigan interstitsial kislorod va uglerod tarkibiga ega. Bu uchuvchan yuqori{4}}vakuumli tavlanish paytida termal yog'ingarchilikning oldini oladi, bu esa elektr profilini oldindan aytib bo'lishini ta'minlaydi.Quvvat IC (IGBT/MOSFET) va RF modullari.

Termomexanik chidamlilik:Optimallashtirilgan struktura yaxlitligi har bir gofretning yuqori haroratli diffuziyadan-mexanik qayta silliqlashgacha bo'lgan ekstremal qayta ishlash sikllari davomida barqaror ishlashini ta'minlaydi. Bu barqarorlikni saqlash uchun juda muhimdirsub-mikron umumiy qalinligi oʻzgarishi (TTV)va avtomatlashtirilgan 300 mm quyish liniyalarida gofret sinishining oldini olish.

Hosildorlik-Boshqaruv aniqligi:Har bir substrat saytning oʻziga xos tekisligi (SFQR)-boʻyicha qatʼiy sanoat talablarini qondirish va undan oshib ketishi uchun ishlab chiqilgan. Bu aniqlik ilg'or fotolitografiyada{2}}fokusning kengaytirilgan chuqurligini (DOF) qo'llab-quvvatlaydi, bu jarayonning siljishi sezilarli darajada qisqarishi va yakuniy qurilma ishonchliligining oshishi bilan bevosita bog'liqdir.

Issiq teglar: silikon gofret tuzilishi, Xitoy silikon gofret tuzilishi ishlab chiqaruvchilari, etkazib beruvchilari, zavodi