Silikon gofret bazasi

Silikon gofret bazasi

Ushbu yarimo'tkazgichli kremniy asosi eng murakkab ishlab chiqarish ketma-ketliklari uchun yuqori-sof asos bo'lib xizmat qilish uchun ishlab chiqilgan. To'liq optimallashtirilgan2 dyuym (50 mm) dan 12 dyuymgacha (300 mm)diametrli spektr, bu asoslar ko'p qatlamli pastki{1}}mikron integratsiyasi uchun zarur bo'lgan zarur mexanik va termal qattiqlikni ta'minlab, strukturaviy langar vazifasini bajaradi.

Asosiy texnik afzalliklari:

Tsiklik strukturaviy yaxlitlik:Baza butun fizik va kimyoviy yaxlitligini saqlab qolish uchun yaratilganishlab chiqarish davrlari. Uning yuqori termomexanik chidamliligi yuqori-vakuumli termik ishlov berish jarayonida panjaraning emirilishi va sirpanishining oldini oladi, bu esa baza epitaksial o‘sish va ion implantatsiyasi uchun barqaror platforma bo‘lib qolishini ta’minlaydi.

Aniqlik-Boshqaruv panjarasining bir xilligi:Yuqori darajada bir xil moddiy tuzilishga ega bo'lgan bu asoslar ilg'or fotolitografiyada o'ta tekislash aniqligini qo'llab-quvvatlaydi. Qattiq nazoratni ushlab turish orqaliradial qarshilik va kislorod/uglerod chegaralari, material jarayonning siljishini kamaytiradi, bu esa barqaror chegara kuchlanishiga va qurilmaning yuqori -ishimli ishlashiga bevosita yordam beradi.

Jarayonning universal moslashuvi:Ko'p qirrali ishlab chiqarish muhitlari uchun mo'ljallangan baza turli bosqichlarga muammosiz moslashadi-shu jumladanKimyoviy mexanik planarizatsiya (CMP), quruq surtish va yuqori-energiyali qo'shimcha faollashtirish. Ushbu moslashuvchanlik substratning zamonaviy Power IC, RF va Logic arxitekturalari uchun eng qat'iy texnik ishlab chiqarish talablariga javob berishini va ulardan oshib ketishini ta'minlaydi.

Issiq teglar: silikon gofret bazasi, Xitoy silikon gofret bazasi ishlab chiqaruvchilari, etkazib beruvchilari, zavodi