Yarimo'tkazgichli kremniy gofret o'lchamining rivojlanish tarixi

Silikon gofretning o'lchami qanchalik katta bo'lsa, kelajakda ishlab chiqarilgan har bir gofretda shuncha ko'p chiplar kesilishi mumkin va chipning narxi past bo'ladi. 1960yillarda taxminan 0,75 dyuymli (taxminan 20 mm) monokristalli kremniy gofretlari mavjud edi. Gordon Mur 1965-yilda Mur qonunini taklif qilganida, tranzistorlarda hali ham diskret qurilmalar ustunlik qilgan va keyin oz miqdorda 1,{6}}dyuymli kremniy gofretlari ishlatila boshlagan. Keyin integral mikrosxemalar uchun 1.5-dyuymli silikon plastinalarga talab sezilarli darajada oshdi. Shundan so'ng, 2- dyuym , 3 dyuym va 4 dyuymdan keyin. Keyingi 5 dyuym, 6 dyuym, 8 dyuym, keyin 12 dyuym, 18 dyuym.
Monokristalli kremniy gofretlari yarimo'tkazgichli kremniy qurilmalarini ishlab chiqarish uchun xom ashyo bo'lib, yuqori quvvatli rektifikatorlar, yuqori quvvatli tranzistorlar, diodlar, kommutatsiya moslamalari va boshqalarni ishlab chiqarish uchun ishlatiladi. Uning keyingi mahsulotlari, integral mikrosxemalar va yarimo'tkazgichli diskret qurilmalari turli sohalarda keng qo'llanilgan. dalalar. Muhim yarimo'tkazgich materiali sifatida yagona kristalli kremniy fotoelektrik konversiyada va an'anaviy yarimo'tkazgich qurilmalarida keng qo'llanilgan. Raqamli lampalar, lyuminestsent lampalar yoki katod nurli lyuminestsent ekranlar, yorug'lik chiqaruvchi diodlar va boshqalar kabi elektr yoritgichli yorug'lik manbalari. Axborot nuqtai nazaridan yorug'lik chiqarish, kuchaytirish, modulyatsiya qilish, qayta ishlash, saqlash, o'lchash va boshqalar kabi texnologiyalar va komponentlar. displey maxsus funktsiyalarga ega optoelektronik tizimni yaratish uchun ishlatilishi mumkin. Masalan, tezkor va katta hajmdagi axborot uzatishga erishish uchun optik tolali aloqalardan foydalanish mumkin. Asl shunga o'xshash texnik darajani sezilarli darajada yaxshiladi.